EVG在融化晶圓鍵合領(lǐng)域取得重大突破，掃清制造3D-IC硅片大容量設(shè)備主要障礙

       晶圓對(duì)晶圓鍵合是激 活諸如堆疊式內(nèi)存，邏輯記憶以及未來(lái)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像感應(yīng)器等3D裝置的一個(gè)關(guān)鍵步驟。與此同時(shí)，是實(shí)現(xiàn)各鍵合晶圓之間電接觸點(diǎn)的硅片通道尺寸的zui小化，降低3D裝置成本，支持更高水平裝置性能及帶寬，減少裝置耗電量的一個(gè)關(guān)鍵方面。然而，只有實(shí)現(xiàn)了各晶圓之間緊密排列和套準(zhǔn)精度，保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高 效電接觸，并且將鍵合面上的連接區(qū)域zui小化，才能夠?qū)⒏嗟木A面積用于裝置生產(chǎn)。

  對(duì)位精度是3D-IC融化鍵合的關(guān)鍵

  根據(jù)2012年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖顯示，應(yīng)用高密度硅片通道必須在2015年以前達(dá)到鍵合晶圓對(duì)位精度500納米(3西格瑪)。而要實(shí)現(xiàn)混合鍵合高產(chǎn)量，則需要更高的精度規(guī)格。 GEMINI FB XT平臺(tái)包含了EVG集團(tuán)新推出的SmartView® NT2鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)，能夠大幅提升晶圓對(duì)晶圓對(duì)位精度至200納米以下(3西格瑪)。這意味著，同過(guò)去大量使用的SmartView NT平臺(tái)——即先前的行業(yè)晶圓對(duì)位精度基準(zhǔn)——相比，新平臺(tái)的晶圓對(duì)位精度將達(dá)到先前的三倍，突破*新的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖標(biāo)準(zhǔn)，為正在考慮在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中引入3D-IC及硅片通道技術(shù)的制造商一個(gè)關(guān)鍵障礙。一體化的計(jì)量模塊在預(yù)先鍵合后確定排列能夠使客戶在必要時(shí)迅速調(diào)整高容量生產(chǎn)加工的鍵和過(guò)程。

       XT架構(gòu)平臺(tái)是EVG集團(tuán)在半導(dǎo)體行業(yè)廣 泛使用的一款平臺(tái)，相比之下，GEMINI FB XT則是為了實(shí)現(xiàn)超高能吞吐量及性能而專門(mén)優(yōu)化設(shè)計(jì)的。額外添加的預(yù)先和事后加工模組所具備的晶圓清潔、平面準(zhǔn)備、等粒子激 活以及晶圓鍵合排列功能使得該平臺(tái)的吞吐量提高了50%。而除此之外，由于新平臺(tái)的晶圓排列更加緊密，IC制造商們得以將晶圓堆疊從半導(dǎo)體制造價(jià)值鏈的中后段加工推至*前端。而這又使得裝置制造商們能夠從晶圓層面為各自的產(chǎn)品添加更多功能，同時(shí)，高水平的并行加工又能夠大幅度降低3D-IC及硅片通道的制造成本，真可謂是一舉多得。